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半导体芯片的冷热冲击试验方法

 发布时间:2023-01-17 点击量:74
半导体芯片进行冷热冲击试验时,应注意:
  1. 根据产品使用环境确定试验温度。
  2. 试件暴露于极值温度的持续时间应为半导体芯片的实际工作时间或温度稳定的时间。GJB 150中规定持续时间一般为1h,或者是温度达到稳定的时间,当温度稳定的时间超过1h,则使用温度稳定时间。
  3. 转换时间与温度变化速率,GJB 要求会比 GB 要求更为严苛。例如,GJB 150A 中要求转换时间尽可能短,转换时间要求不大于1min ,温度变化速率小于3℃/min,如果因为试样尺寸过大,导致时间超过 1min ,应说明合理性。


半导体芯片冷热冲击方法

  • 将试件芯片通电置于置物架上;

  • 根据要求设定试验温度;

  • 首先对试件进行低温试验,再进行高温试验,循环次数依要求进行;

  • 记录半导体芯片工作状态下,在设定温度下的相关参数, 对产品分析, 工艺改进以及批次的定向品质追溯提供确实的数据依据。


冷热冲击方向选择

试件从低温或是高温试验开始,不同标准有不同的解析。若试验从低温段开始,试验结束在高温段;若试验从高温段开始,结束在低温段。为防止试件在试验结束后表面产品凝露,试验结束在低温段时需要增加烘干恢复的过程,这样就增加了试验周期,建议试验从低温段开始,结束在高温段。



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