半导体芯片冷热冲击方法
将试件芯片通电置于置物架上;
根据要求设定试验温度;
首先对试件进行低温试验,再进行高温试验,循环次数依要求进行;
记录半导体芯片工作状态下,在设定温度下的相关参数, 对产品分析, 工艺改进以及批次的定向品质追溯提供确实的数据依据。
冷热冲击方向选择
试件从低温或是高温试验开始,不同标准有不同的解析。若试验从低温段开始,试验结束在高温段;若试验从高温段开始,结束在低温段。为防止试件在试验结束后表面产品凝露,试验结束在低温段时需要增加烘干恢复的过程,这样就增加了试验周期,建议试验从低温段开始,结束在高温段。